GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验

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标准编号：GB/T 45718-2025

标准名称：半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验

标准类型：推荐性

标准英文：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

标准状态：即将实施

发布日期：2025-09-01

实施日期：2025-05-30

标准语言：中文

发布部委：

国际分类：电子学

国内标准分类号：L40

国际标准分类：31.080.01

技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

标准类别：方法

代替标准：

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所广东科信电子有限公司广东汇芯半导体有限公司青岛芯瑞智能控制有限公司 吉林华微电子股份有限公司 中国电子科技集团公司第二十四研究所 上海交通大学 电子科技大学

起草人：高汭 陈义强 冯宇翔 雷志锋 俞鹏飞 来萍 纪志罡 李治平 王铁羊柯佳键方文啸杨晓锋常江罗俊宫玉彬